Плазмостимулированное aтомно-слоевое осаждение в технологиях создания структур наноэлектроники

К.Ф. Руденко; А.А. Орликовский

doi:10.18321/

Авторы

К.Ф. Руденко Физико-технологический институт Российской академии наук, Нахимовский пр. 34, 117218, Москва
А.А. Орликовский Физико-технологический институт Российской академии наук, Нахимовский пр. 34, 117218, Москва

DOI:

https://doi.org/10.18321/

Ключевые слова:

плазма, осаждение, нано-электроника, структура, процессы

Аннотация

Развитие плазменных ALD технологий для применений в наноэлектронике является следствием масштабирования интегральных приборов ИС в область нанометровых размеров. Рассмотрены физико-химические принципы, лежащие в основе процессов атомно-слоевого осаждения, которые включают стимулирование плазмой газа II-прекурсора гетерогенных реакций, самоограничивающихся в монослое I-прекурсора на поверхности подложки. Продемонстрированы преимущества и ограничения метода ALD в сравнении с традиционным плазмостимулированным осаждением PECVD из объема плазмы. Проанализированы особенности плазмохимических реакторов для ALD процессов, методы in situ диагностики атомно-слоевого роста пленок. Дан обзор существующих PEALD технологий роста диэлектрических, полупроводниковых и металлических слоев, имеющих перспективы использования в приборных структурах наноэлектроники.

Библиографические ссылки

(1). Алесковский В.Б. Остовная гипотеза и опыт синтеза катализаторов. Дис. … д-ра хим. наук. Л., 1952.

(2). Кольцов С.И., Алесковский В.Б. // Журнал физической химии. 1968. Т. 42. С. 1210–1215.

(3). Ritala M., Leskela M. // Nanotechnology. 1999. Vol. 10. P. 19–24.

(4). George S.M. // Chemical Reviews. 2010. Vol. 110. P. 111–131.

(5). Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Лукичев В.Ф., Орликовский А.А. // Труды 3-го Всероссийского семинара по проблемам химического осаждения из газовой фазы. Иркутск, 2013. С. 34–36.

(6). Knoops H.C.M., Mackus A.J.M., Donders M.E., et al. // ECS Transactions. 2008. Vol. 16. No. 4. P. 209–218.